PRODUCTS Factory, Suppliers - China PRODUCTS Manufacturers

Ενότητες APD InGaAs

Πρόκειται για μονάδα φωτοδίοδος χιονοστιβάδας αρσενιδίου ινδίου με κύκλωμα προενίσχυσης που επιτρέπει στο σήμα ασθενούς ρεύματος να ενισχυθεί και να μετατραπεί σε σήμα τάσης για να επιτευχθεί η διαδικασία μετατροπής της ενίσχυσης φωτονίου-φωτοηλεκτρικού σήματος.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
Τετράτεταρτη ΑΠΔ

Αποτελείται από τέσσερις ίδιες μονάδες φωτοδιόδου χιονοστιβάδας Si που παρέχει υψηλή ευαισθησία που κυμαίνεται από UV έως NIR.Το μήκος κύματος απόκρισης κορυφής είναι 980 nm.Απόκριση: 40 A/W στα 1064 nm.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
Ενότητες APD τεσσάρων τεταρτημορίων

Αποτελείται από τέσσερις ίδιες μονάδες φωτοδιόδου χιονοστιβάδας Si με κύκλωμα προενίσχυσης που επιτρέπει στο σήμα ασθενούς ρεύματος να ενισχυθεί και να μετατραπεί σε σήμα τάσης για να επιτευχθεί η διαδικασία μετατροπής της ενίσχυσης φωτονίου-φωτοηλεκτρικού σήματος.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
Μονάδες PIN Si 850nm

Είναι μονάδα φωτοδιόδου Si PIN 850nm με κύκλωμα προενίσχυσης που επιτρέπει την ενίσχυση του σήματος ασθενούς ρεύματος και τη μετατροπή σε σήμα τάσης για την επίτευξη της διαδικασίας μετατροπής της ενίσχυσης φωτονίου-φωτοηλεκτρικού σήματος.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
Φωτοδίοδος Si PIN 900nm

Είναι η φωτοδίοδος Si PIN που λειτουργεί υπό αντίστροφη πόλωση και παρέχει υψηλή ευαισθησία που κυμαίνεται από UV έως NIR.Το μήκος κύματος απόκρισης κορυφής είναι 930 nm.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
Φωτοδίοδος Si PIN 1064nm

Είναι η φωτοδίοδος Si PIN που λειτουργεί υπό αντίστροφη πόλωση και παρέχει υψηλή ευαισθησία που κυμαίνεται από UV έως NIR.Το μήκος κύματος απόκρισης κορυφής είναι 980 nm.Απόκριση: 0,3A/W στα 1064 nm.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
Μονάδες PIN Fiber Si

Το οπτικό σήμα μετατρέπεται σε σήμα ρεύματος με την εισαγωγή οπτικής ίνας.Η μονάδα Si PIN διαθέτει κύκλωμα προενίσχυσης που επιτρέπει την ενίσχυση του σήματος ασθενούς ρεύματος και τη μετατροπή του σε σήμα τάσης για την επίτευξη της διαδικασίας μετατροπής της ενίσχυσης φωτονίου-φωτοηλεκτρικού σήματος.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
PIN Si τεσσάρων τεταρτημορίων

Αποτελείται από τέσσερις ίδιες μονάδες φωτοδιόδου Si PIN που λειτουργεί αντίστροφα και παρέχει υψηλή ευαισθησία που κυμαίνεται από UV έως NIR.Το μήκος κύματος απόκρισης κορυφής είναι 980 nm.Απόκριση: 0,5 A/W στα 1064 nm.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
Μονάδες PIN Si τεσσάρων τεταρτημορίων

Αποτελείται από απλές ή διπλές τέσσερις ίδιες μονάδες φωτοδιόδου Si PIN με κύκλωμα προενίσχυσης που επιτρέπει την ενίσχυση του σήματος ασθενούς ρεύματος και τη μετατροπή σε σήμα τάσης για την επίτευξη της διαδικασίας μετατροπής της ενίσχυσης φωτονίου-φωτοηλεκτρικού σήματος.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
PIN Si ενισχυμένο με υπεριώδη ακτινοβολία

Είναι η φωτοδίοδος Si PIN με ενισχυμένη υπεριώδη ακτινοβολία, η οποία λειτουργεί αντίστροφα και παρέχει υψηλή ευαισθησία που κυμαίνεται από UV έως NIR.Το μήκος κύματος απόκρισης κορυφής είναι 800 nm.Απόκριση: 0,15 A/W στα 340 nm.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
1064nm YAG Laser -15mJ-5

Είναι ένα λέιζερ Nd: YAG με παθητική μεταγωγή Q με μήκος κύματος 1064nm, μέγιστη ισχύ ≥15mJ, ρυθμό επανάληψης παλμού 1~5hz (ρυθμιζόμενο) και γωνία απόκλισης ≤8mrad.Επιπλέον, είναι ένα μικρό και ελαφρύ λέιζερ και ικανό να επιτύχει υψηλή απόδοση ενέργειας που μπορεί να είναι ιδανική πηγή φωτός εμβέλειας για ορισμένα σενάρια που έχουν άκαμπτες απαιτήσεις όγκου και βάρους, όπως ατομική μάχη και UAV ισχύει σε ορισμένα σενάρια.

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια
1064nm YAG Laser-15mJ-20

Είναι ένα λέιζερ Nd：YAG με παθητική μεταγωγή Q με μήκος κύματος 1064nm, μέγιστη ισχύ ≥15mJ και γωνία απόκλισης ≤8mrad.Επιπλέον, είναι ένα μικρό και ελαφρύ λέιζερ που μπορεί να είναι ιδανική πηγή φωτός για μεγάλες αποστάσεις που κυμαίνεται σε υψηλή συχνότητα (20Hz).

ΕΡΕΥΝΑ λεπτομέρεια