PIN Si ενισχυμένο με υπεριώδη ακτινοβολία
Χαρακτηριστικά
- Μπροστινή φωτιζόμενη δομή
- Χαμηλό σκοτεινό ρεύμα
- Υψηλή απόκριση στο μπλε-ιώδες φως
- Υψηλή αξιοπιστία
Εφαρμογές
- Διαλογής χρώματος
- Ιατρικός
- Παρακολούθηση περιβάλλοντος
Φωτοηλεκτρική παράμετρος (@Ta=25℃)
| Στοιχείο # |
Κατηγορία πακέτου | Διάσταση φωτοευαίσθητης επιφάνειας (mm) | Εύρος φασματικής απόκρισης (nm) | μήκος κύματος απόκρισης κορυφής | ανταπόκριση λ=340nm (A/W) | Σκοτεινό ρεύμα VR=10mV (nA) | Χωρητικότητα συνδέσμου VR=0V f=1MHz (pF) | Τάση διάσπασης (V)
|
| GD32120K | ΕΩΣ-5 | 3,6×3,6 |
300-1060 | 980 | 0,15 | 0,5 | 1300 | 50 |
| GD32114K | Κεραμικός | 2,4×2,8 | 0,5 | 1000 |
