Τετράτεταρτη ΑΠΔ
Χαρακτηριστικά
- Μπροστινό φωτιζόμενο επίπεδο τσιπ
- Απόκριση υψηλής συχνότητας, υψηλό κέρδος
- Μεγάλο οπτικό πεδίο λήψης
Εφαρμογές
- Καθοδήγηση με λέιζερ
- Ραντεβού με λέιζερ και σύνδεση
- Τοποθέτηση με λέιζερ
Φωτοηλεκτρική παράμετρος (@Ta=22±3℃)
Στοιχείο # |
Κατηγορία πακέτου |
Διάμετρος φωτοευαίσθητης επιφάνειας (mm) |
Εύρος φασματικής απόκρισης (nm) | ανταπόκριση Μ=100 λ=1064nm (kV/W)
| Σκοτεινό ρεύμα M=100, l=1064nm (nA) |
Αυξάνεται ο χρόνος (ns) | Συντελεστής θερμοκρασίας Ta=-40℃~85℃ (V/℃)
| Συνολική χωρητικότητα (PF) | Τάση διάσπασης (V) | Τεταρτοκύκλιο Ασυνέπεια (%) | Τεταρτοταγής διαφωνία (%) | ||
Τυπ.
| Μέγιστη. | Ελάχ. | Μέγιστη |
Μέγιστη. |
Μέγιστη. | ||||||||
GD5241Y |
TO-8 | 4.0 Γραμμή διαίρεσης τεταρτημορίου 0,1 mm |
400-1100 | 40 |
40 |
100 |
3.5 |
3.2 |
4.0 |
350 |
500 |
5 |
5 |